一、 中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場(chǎng)效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管。
第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場(chǎng)效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號。
第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規格號。
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。
日本半導體分立器件型號命名方法。 二、日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應管、K-N 溝道場(chǎng)效應管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分： 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
美國半導體分立器件型號命名方法。

三、美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類(lèi)型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無(wú)）-非軍用品。
第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結器件、n-n個(gè)pn結器件。
第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、 國際電子聯(lián)合會(huì )半導體器件型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會(huì )半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。
第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數字-表示專(zhuān)用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類(lèi)型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進(jìn)行分檔的標志。

除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下：
1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱(chēng)穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點(diǎn)，字母V之后的數字為穩壓管標稱(chēng)穩定電壓的小數值。
2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數值較小的那個(gè)電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件。
第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。
俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。

（一）、半導體二極管參數符號及其意義
CT---勢壘電容
Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱(chēng)電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時(shí)給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線(xiàn)路中規定頻率和規定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
IF(ov)---正向過(guò)載電流
IL---光電流或穩流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點(diǎn)電流
IV---谷點(diǎn)電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時(shí)，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點(diǎn)電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過(guò)的電流
iF---正向總瞬時(shí)電流
iR---反向總瞬時(shí)電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極管穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時(shí)耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門(mén)極平均功率
PGM---門(mén)極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開(kāi)關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時(shí)，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線(xiàn)性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱(chēng)微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時(shí)間
tf---下降時(shí)間
tfr---正向恢復時(shí)間
tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開(kāi)通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tr---上升時(shí)間
trr---反向恢復時(shí)間
ts---存儲時(shí)間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發(fā)光峰值波長(cháng)
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點(diǎn)電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門(mén)限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點(diǎn)電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點(diǎn)電壓（穩流二極管）
VL ---極限電壓

（二）、雙極型晶體管參數符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發(fā)射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發(fā)射極輸入電容
Cies---共發(fā)射極短路輸入電容
Cieo---共發(fā)射極開(kāi)路輸入電容
Cn---中和電容（外電路參數）
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe---共發(fā)射極輸出電容
Coeo---共發(fā)射極開(kāi)路輸出電容
Cre---共發(fā)射極反饋電容
Cic---集電結勢壘電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cp---并聯(lián)電容（外電路參數）
BVcbo---發(fā)射極開(kāi)路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開(kāi)路，CE結擊穿電壓
BVebo--- 集電極開(kāi)路EB結擊穿電壓
BVces---基極與發(fā)射極短路CE結擊穿電壓
BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率
hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數
hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗
hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導
h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數
hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗
hre---共發(fā)射極小信號開(kāi)路電壓反饋系數
hfe---共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數
hoe---共發(fā)射極小信號開(kāi)路輸出導納
IB---基極直流電流或交流電流的平均值
Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值
IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo---基極接地，發(fā)射極對地開(kāi)路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo---發(fā)射極接地，基極對地開(kāi)路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Iebo---基極接地，集電極對地開(kāi)路，在規定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流
Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Ices---發(fā)射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流
ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過(guò)基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP---集電極最大允許脈沖電流
ISB---二次擊穿電流
IAGC---正向自動(dòng)控制電流
Pc---集電極耗散功率
PCM---集電極最大允許耗散功率
Pi---輸入功率
Po---輸出功率
Posc---振蕩功率
Pn---噪聲功率
Ptot---總耗散功率
ESB---二次擊穿能量
rbb‘---基區擴展電阻（基區本征電阻）
rbb‘Cc---基極-集電極時(shí)間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻
roe---發(fā)射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻
RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數）
RB---外接基極電阻（外電路參數）
Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）
RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數）
RL---負載電阻（外電路參數）
RG---信號源內阻
Rth---熱阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Ts---結溫
Tjm---最大允許結溫
Tstg---貯存溫度
td----延遲時(shí)間
tr---上升時(shí)間
ts---存貯時(shí)間
tf---下降時(shí)間
ton---開(kāi)通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
VCB---集電極-基極（直流）電壓
VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓
VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓
VCBO---基極接地，發(fā)射極對地開(kāi)路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO---基極接地，集電極對地開(kāi)路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO---發(fā)射極接地，基極對地開(kāi)路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES---發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規定條件下的最高耐壓
Vp---穿通電壓。
VSB---二次擊穿電壓
VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)---發(fā)射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降
VBE(sat)---發(fā)射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC---正向自動(dòng)增益控制電壓
Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值
V n---噪聲電壓
Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱(chēng)電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時(shí)給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過(guò)二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線(xiàn)路中規定頻率和規定電壓條件下所通過(guò)的工作電流
IF(ov)---正向過(guò)載電流
IL---光電流或穩流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點(diǎn)電流
IV---谷點(diǎn)電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時(shí)，所通過(guò)的電流；硅開(kāi)關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過(guò)的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時(shí)，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點(diǎn)電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過(guò)鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過(guò)的電流
iF---正向總瞬時(shí)電流
iR---反向總瞬時(shí)電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極管穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時(shí)耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門(mén)極平均功率
PGM---門(mén)極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開(kāi)關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過(guò)脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時(shí)，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線(xiàn)性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱(chēng)微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時(shí)間
tf---下降時(shí)間
tfr---正向恢復時(shí)間
tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間
tgt---門(mén)極控制極開(kāi)通時(shí)間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開(kāi)通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tr---上升時(shí)間
trr---反向恢復時(shí)間
ts---存儲時(shí)間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發(fā)光峰值波長(cháng)
△ λ---光譜半寬度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門(mén)極觸發(fā)電壓
VGD---門(mén)極不觸發(fā)電壓
VGFM---門(mén)極正向峰值電壓
VGRM---門(mén)極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點(diǎn)電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門(mén)限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點(diǎn)電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點(diǎn)電壓（穩流二極管）
VL ---極限電壓

（三）、場(chǎng)效應管參數符號意義
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空系數，外電路參數）
di/dt---電流上升率（外電路參數）
dv/dt---電壓上升率（外電路參數）
ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）
gfs---正向跨導
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
K---失調電壓溫度系數
Ku---傳輸系數
L---負載電感（外電路參數）
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數）
RL---負載電阻（外電路參數）
R(th)jc---結殼熱阻
R(th)ja---結環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）
to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間
td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間
ti---上升時(shí)間
ton---開(kāi)通時(shí)間
toff---關(guān)斷時(shí)間
tf---下降時(shí)間
trr---反向恢復時(shí)間
Tj---結溫
Tjm---最大允許結溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）
VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅動(dòng)源內阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數
ards---漏源電阻溫度系數