許多人還是對
半導體放電管的工作原理還不是很了解,那么半導體放電管的工作原理完整性到底是怎么樣的?半導體放電管主要的流程又是什么樣呢?今天踏歌電子技術(shù)小編就為廣大朋友們來(lái)來(lái)解答心中所存在的困惑吧!
1.半導體放電管簡(jiǎn)述:
半導體過(guò)壓保護器是根據可控硅原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種新型保護器件,具有精確導通、快速響應(響應時(shí)間ns級)、浪涌吸收能力較強、雙向對稱(chēng)、可靠性高等特點(diǎn)。
由于其浪涌通流能力較同尺寸的TVS管強,可在無(wú)源電路中代替TVS管使用。但它的導通特性接近于短路,不能直接用于有源電路中,在這樣的電路中使用時(shí)必須加限流元件,使其續流小于最小維持電流。半導體過(guò)壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線(xiàn)式三種封裝形式。
2.TSS工作原理:
半導體放電管也稱(chēng)固態(tài)放電管是一種PNP元件,當外加電壓低于斷態(tài)電壓時(shí),器件處于斷開(kāi)狀態(tài);當電壓超過(guò)它的斷態(tài)峰值電壓時(shí),半導體放電管會(huì )將瞬態(tài)電壓箝制到元件的轉折電壓內;電壓繼續增大時(shí),半導體放電管由于負阻效應進(jìn)入導通狀態(tài),這時(shí)近乎短路;當外加電壓恢復正常,電流能很快下降并低于維持電流,元件自動(dòng)復位并恢復到高阻抗狀態(tài)。
反向工作狀態(tài)(K端接正、A端接負)?正向工作狀態(tài)(A端接正、K端接負)
?、僮钄鄥^:此時(shí)器件兩端所加電壓低于擊穿電壓,J1正偏,J2為反偏,電流很小,起了阻擋電流的作用,外加電壓幾乎都加在了J2上。
?、谘┍绤^:當外加電壓上升接近J2結的雪崩擊穿電壓時(shí),反偏J2結空間電荷區寬度擴展的同時(shí),結區內電場(chǎng)大大增強,從而引起倍增效應加強。于是,通過(guò)J2結的電流突然增大,并使流過(guò)器件的電流也增大,這就是電壓增加,電流急劇增加的雪崩區。
?、圬撟鑵^:當外加電壓增加到大于VBO時(shí),由于雪崩倍增效應而產(chǎn)生了大量的電子空穴對,此時(shí)這些載流子在強場(chǎng)的作用下,電子進(jìn)入n2區,空穴進(jìn)入p1區,由于不能很快復合而分別堆積起來(lái),使J2空間電荷區變窄。由此使p1區電位升高、n2區電位下降,起了抵消外電壓的作用。隨著(zhù)J2結區電場(chǎng)的減弱,降落在J2結上的外電壓將下降,雪崩效應也隨之減弱。另一方面,J1、J3結的正向電壓卻有所增加,注入增強,造成通過(guò)J2結的電流增大,于是出現了電流增加電壓減小的負阻現象。
?、艿妥柰☉B(tài)區:如上所述,雪崩效應使J2結兩側形成空穴和電子的積累,造成J2結反偏電壓減??;同時(shí)又使J1、J3結注入增強,電流增大,因而J2結兩側繼續有電荷積累,結電壓不斷下降。當電壓下降到雪崩倍增完全停止,結電壓全部被抵消后,J2結兩側仍有空穴和電子積累時(shí),J2結變?yōu)檎?。此時(shí),J1、J2和J3全部為正偏,器件可以通過(guò)大電流,因而處于低阻通態(tài)區。完全導通時(shí),其伏安特性曲線(xiàn)與整流元件相似。
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