壓敏電阻(MLV/MOV)的防護原理，TVS管和壓敏電阻應用

　　一、壓敏電阻(MLV/MOV)
　　多層壓敏電阻(MLV)及金屬氧化物壓敏電阻(MOV)利用ZnO等壓敏陶瓷材料的壓敏特性，實(shí)現了對靜電的防護，壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，當施加于壓敏電阻器兩端電壓小于其壓敏電壓，壓敏電阻器相當于10MΩ以上絕緣電阻；當在壓敏電阻器兩端施加大于壓敏電壓的過(guò)電壓時(shí)，壓敏電阻器的電阻急劇下降呈現低阻態(tài)，從而把電荷快速導走，有效地保護了電路中的其它元器件不致過(guò)壓而損壞。壓敏電阻采用的是物理吸收原理，因此每經(jīng)過(guò)一次ESD事件，材料就會(huì )受到一定的物理?yè)p傷，形成無(wú)法恢復的漏電通道，會(huì )隨著(zhù)使用次數的增多性能下降，存在壽命限制問(wèn)題。上海雷卯電子
　　壓敏電阻支持雙向保護，它的伏安特性是完全對稱(chēng)的，VW：正常工作電壓(Working Voltage)。IL：最大Vw工作條件下的漏電電流(Leakage Current)。壓敏電阻的失效模式主要是短路，但當通過(guò)的過(guò)電流太大時(shí)，也可能造成閥片被炸裂而開(kāi)路。 　　二、TVS管和壓敏電阻應用場(chǎng)合
　　通過(guò)對TVS管和壓敏電阻的性能對比，根據各自的優(yōu)點(diǎn)，適合應用場(chǎng)合列下：
　　1、與壓敏電阻比較，TVS管具有響應時(shí)間快、鉗位電壓偏差小、結電容小、反向漏電流小和無(wú)壽命限制等優(yōu)點(diǎn)，因而較適合于信號質(zhì)量要求高、線(xiàn)漏電要求小等接口的ESD防護，比如高速數據信號傳輸線(xiàn)、時(shí)鐘線(xiàn)等。
　　2、與TVS管比較，壓敏電阻的擊穿電壓VBR和箝位電壓VC都相對高，通流能力相對強，具有更強的浪涌脈沖吸收能力，因而較適合于電源接口的ESD或浪涌防護。
　　3、對于兩者都適合的場(chǎng)合，考慮價(jià)格因素，選用壓敏電阻。


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