貼片壓敏電阻ESD防護選型方法
　　1、最大直流工作電壓(Vdc):  壓敏電阻器的最大直流工作電壓必須大于信號線(xiàn)的直流工作電壓(Vn),即Vdc≥Vn?！　?、電容Cp (Capacitance):  對于高頻率傳輸信號,電容Cp應小些,反之亦然。如在USB3.0、HDMI 接口使用小于1pF壓敏電阻。
　　3、內阻匹配(Resistance Match):  被保護元器件(線(xiàn)路)內阻R(R ≥ 2Ω)與壓敏電阻瞬態(tài)內阻Rv關(guān)系：R ≥5 Rv；對于內阻較小的被保護元器件，在不影響信號傳輸速率的情況下，盡量采用大電容壓敏電阻。
　　4、放置位置(Layout): 接近ESD源，即離接口部位越近越好。
　　5、接地設計(Ground Design): 良好的接地。
　　貼片壓敏電阻與TVS管的ESD應用誤區（推薦閱讀：壓敏電阻(MLV/MOV)的防護原理，TVS管和壓敏電阻應用）
　　氧化鋅壓敏電阻器與TVS管都是ESD防護常用的器件，對提升整機的ESD性能有非常重要的作用。但是氧化鋅壓敏電阻器與TVS管的導電機理及結構各有差異，因此在具體應用表現也不盡相同。將兩者特性進(jìn)行比較，如表2所示。

　　表2. 片式壓敏電阻與TVS管對比

　　通過(guò)對比表，可以看出貼片壓敏電阻優(yōu)勢主要體現在成本低，響應時(shí)間快，優(yōu)良的溫度特性以及更強的吸收能量能力，因此壓敏電阻更適合較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護，且價(jià)格有優(yōu)勢。而TVS存在價(jià)格稍高，溫度特性從25℃衰減問(wèn)題，但鉗位電壓低，響應速度快，使其在需要精細保護的電路的場(chǎng)合更為合適。

　　目前，最常見(jiàn)的選型誤區，集中體現在響應時(shí)間和能量吸收能力兩方面，接下來(lái)著(zhù)重對其進(jìn)行分析闡述，從而使讀者更好的認識壓敏電阻和TVS管。（推薦閱讀：自恢復保險絲型號大全【完整版】）
　　1、響應時(shí)間
　　過(guò)電壓保護元件響應時(shí)間是由元件材料及結構決定的，當產(chǎn)品結構中存在寄生電感、電容時(shí)，除對保護元件響應時(shí)間影響外，還會(huì )影響過(guò)電壓產(chǎn)生瞬間線(xiàn)路的振蕩過(guò)程。
　　目前很多設計人員的意識里存在壓敏電阻響應時(shí)間比TVS慢的誤區，器件的響應時(shí)間一般由材料和產(chǎn)品結構決定。
　　氧化鋅壓敏陶瓷導電機理是隧道擊穿，所以其材料響應時(shí)間就是其隧道電子擊穿時(shí)間，一般為0.3ns。TVS管導電機理是雪崩擊穿，其響應時(shí)間就是其雪崩電子擊穿時(shí)間，一般在0.5~1ns之間。
　　片式氧化鋅壓敏電阻器采用多層獨石結構，其寄生電感非常小，對其響應時(shí)間影響甚微，有些設計人員談到的壓敏電阻響應時(shí)間慢主要指用于A(yíng)C端防浪涌的插件壓敏電阻，因為較長(cháng)的引線(xiàn)引入寄生的電感導致響應時(shí)間較慢（25ns）。而TVS管為了SMT要求，在其兩端設計電極引線(xiàn)，也會(huì )產(chǎn)生寄生電感，對其響應時(shí)間有一定影響。
　　2、能量耗散對比以及對應用表現的影響
　　當片式TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以納秒級時(shí)間使其PN結阻抗驟然降低，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預定的數值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。由于TVS管內部?jì)H是雪崩PN結結構，在導通時(shí)TVS兩端呈現導體低阻值特性，從而限制電壓較壓敏電阻更低，在TVS上支路上的通流更大，該特性適合應用于耐ESD電壓特別差或者被保護部位阻抗特別小的部位(如聽(tīng)筒，MIC,音頻等)。但TVS無(wú)法吸收瞬間脈沖能量，只能將能量單方向傳導至線(xiàn)路的公用地線(xiàn)上，有可能對連接到該公共地的其他ESD敏感器件造成二次破壞。
　　壓敏電阻內部微觀(guān)結構是無(wú)數個(gè)PN結和晶粒的串并聯(lián)結合體，可以吸收和傳導能量，當線(xiàn)路中產(chǎn)生任何過(guò)電壓時(shí)，壓敏電阻器迅速從兆歐級絕緣電阻變?yōu)闅W姆級的電阻，將過(guò)電壓抑制到較低的水平并吸收部分能量，因此壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強，并且能防止ESD造成的瞬態(tài)EMI和二次破壞。

　　貼片壓敏電阻應用注意事項

　　1、發(fā)生問(wèn)題：不讀卡




　　2、發(fā)生問(wèn)題：視頻端輸出不良

　　3、發(fā)生問(wèn)題：壓敏電阻短路